Negative Differential Capacitance of InAs Quantum Dots inserted in AlGaAs/GaAs HEMT Transistor
Abdelaali Fargi  1, *, @  , Sami Ghedira  1, @  , Adel Kalboussi  2, @  
1 : Faculty of Sciences of Monastir
Avenue de l'environnement 5019 Monastir -TUNISIE - 5019 Monastir -  Tunisie
2 : Faculty of Sciences of Monastir
Avenue de l'environnement 5019 Monastir -TUNISIE - 5019 Monastir -  Tunisie
* : Auteur correspondant
Type : : oral
Langue du texte intégral : anglais
Commentaire : This work shows the importance of Quantum Dots coupled to a channel of HEMT Transistor for Memory and Photodetector Applications.
Thématiques : Composants, Capteurs et leurs applications
Mots-Clés : Negative Differential Capacitance ; Capacitance ; Voltage ; Quantum Dots ; Negative Differential Conductance.
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