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AN HR-XRAY INVESTIGATION OF GaAs GROWN BY MOLECULAR BEAM EPITAXY ON POROUS SILICON MONOLAYERS AND MULTILAYERS SUBSTRATE
1 : MGHAIETH
(LMON)
Boulevard de l'environnement 5019 Monastir -
Tunisie
2 : BERBEZIER
(Im2NP)
Isabelle
IM2NP, UMR CNRS 7334, Université Aix Marseille, France -
France
| Type : | : | oral |
| Langue du texte intégral | : | français |
| Commentaire | : | La reprise d'épitaxie de matériaux semiconducteur III-V sur support silicium est confronté au problème de désaccord de maille. Nous proposons une méthode de modulation de la contrainte d'une couche fenêtre de silicium poreux (couche support pour la reprise d'épitaxie) dont le paramètre de maille est modulé par action simultanée de multicouches poreuses en dessous et par un traitement thermique adaptée. |
| Thématiques | : | Croissance et caractérisation des matériaux |
| Mots-Clés | : | Substrat Compliant ; reprise d'épitaxie ; GaAs sur silicium ; DDRX haute résolution ; MEB |
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